第 1 章：半导体工艺流程

本章概述 CMOS 工艺的基本流程，为后续版图设计打下工艺基础。

1.1 CMOS 工艺概述

CMOS（互补金属氧化物半导体）是现代集成电路的主流工艺。NMOS 和 PMOS 在同一衬底上共存，通过光刻、刻蚀、离子注入等步骤构建。

1.2 光刻

光刻是版图设计最直接的工艺对应——版图上的每一层（Layer）通常对应工艺中的一块光刻掩模版。

1.3 刻蚀与沉积

刻蚀和沉积步骤定义了器件的三维结构，版图设计中的间距规则、密度规则等都源于这些工艺约束。

后续章节将详细展开每个步骤对版图设计的具体影响。